光刻机龙头ASML近来宣告，将在今年底推出第一台支撑高数值孔径（NA）的极紫外光刻机（EUV），型号为“Twinscan EXE:5000”。NA数值孔径是光刻机光学体系的重要目标，直接决议了光刻的实践分辨率，以及最高能到达的工艺节点。 ASML现有最先进的EUV光刻机是NEX:3400C、NEX:3400D，NA只要0.33，对应的分辨率为13nm，能够出产金属距离在38-33nm之间的芯片。但是，当金属距离缩小到30nm以下，也便是对应的工艺节点逾越5nm时，这样的分辨率就不够了，只能够运用EUV两层曝光和/或曝光成形（pattern shaping）技能来辅佐，这会大幅度提高本钱，还会下降良品率。 因而，更高的NA成为必需。新一代EXE:5000就能做到0.55 NA，光刻分辨率也将缩小到8nm。EXE:5000有点像是试验渠道，供芯片制造厂学习怎么样运用高NA EUV技能。估量2025年发货的下一代EXE:5200，才干支撑大规模量产。 Intel开始方案在其18A（1.8nm）工艺节点运用ASML的高NA EUV光刻机，2025年量产，但后来提早到了2024年下半年，等不及ASML的新机器。所以，Intel就改用0.33 NA NXE:3600D/3800E，叠加两层曝光来完成18A工艺，一起运用运用资料的Endura Sculpta的曝光成形体系来尽或许削减两层曝光的运用。 尽管如此，Intel仍然会是高NA EUV光刻机的第一家客户，或许会在18A节点的后期引进它。台积电、三星都方案在2025年晚些时候投产2nm工艺，或许也会用上高NA EUV光刻机。至于这种先进光刻机的价格，没有官方数据，不同陈述估量在单台本钱就要3-4亿美元，相当于人民币22-29亿元。